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SUD50N03-10P-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3
數(shù)量：: 999
說明：: MOSFET 30V 50A 65W

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SUD50N03-10P-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：35 ns
商標名：TrenchFET
上升時間：7 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10 mOhms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUD50N03-10P-E3的詳細信息，包括SUD50N03-10P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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