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SUD50N03-7M3P-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 1017  
說明:
 MOSFET 30V 50A 65A
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SUD50N03-7M3P-E3 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:19 ns, 22 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
上升時間:12 ns, 9 ns
功率耗散:10.7 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:7 ns, 8.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0073 Ohms
漏極連續(xù)電流:29 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUD50N03-7M3P-E3的詳細信息,包括SUD50N03-7M3P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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