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STD18N65M2-EP

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D-PAK（TO-252）
數量：: 5076
說明：: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

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STD18N65M2-EP PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：375 毫歐 @ 5.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

以上是STD18N65M2-EP的詳細信息，包括STD18N65M2-EP廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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