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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5 歐姆 @ 1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)600V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs15.5nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 228pF @ 25V
功率 - 最大50W
安裝類型表面貼裝
以上是STD1HNC60T4的詳細(xì)信息，包括STD1HNC60T4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
