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STB35N65M5

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 D2PAK
數(shù)量:
 6237  
說明:
 MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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STB35N65M5-D2PAK圖片

STB35N65M5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:64 ns
上升時(shí)間:12 ns
功率耗散:160 W
柵極電荷 Qg:83 nC
下降時(shí)間:16 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):85 mOhms
漏極連續(xù)電流:27 A
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB35N65M5的詳細(xì)信息,包括STB35N65M5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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