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STB3NB60T4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 5175
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp

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STB3NB60T4 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：7 ns
功率耗散：80 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2 S
下降時(shí)間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB3NB60T4的詳細(xì)信息，包括STB3NB60T4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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