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STB34NM60ND

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 5040
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A

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STB34NM60ND-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB34NM60ND PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：190 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.11 Ohms
漏極連續(xù)電流：29 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB34NM60ND的詳細(xì)信息，包括STB34NM60ND廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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