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STB20NM60-1

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 I2PAK
數(shù)量:
 5778  
說明:
 MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
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STB20NM60-1-I2PAK圖片

STB20NM60-1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:42 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:20 ns
功率耗散:192 W
最小工作溫度:- 65 C
下降時間:11 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.29 Ohms
漏極連續(xù)電流:20 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB20NM60-1的詳細信息,包括STB20NM60-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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