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STB21N65M5

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 5967  
說明:
 MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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STB21N65M5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

上升時間:10 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:50 nC
下降時間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.19 Ohm
漏極連續(xù)電流:17 A
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB21N65M5的詳細(xì)信息,包括STB21N65M5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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