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STB11NM80T4

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：
 4590  
說明：
 MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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STB11NM80T4 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：46 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：17 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：8 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB11NM80T4的詳細(xì)信息，包括STB11NM80T4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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