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STB11NM60FDT4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 4527
說明：: MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

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STB11NM60FDT4-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB11NM60FDT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：16 ns
功率耗散：160 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5.2 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.45 Ohms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB11NM60FDT4的詳細(xì)信息，包括STB11NM60FDT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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