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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SSP1N60B

SSP1N60B

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 1980
說明：: MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm

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SSP1N60B PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：SSP1N60B_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：25 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：45 ns
功率耗散：34 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.97 S
下降時(shí)間：35 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12 Ohms
漏極連續(xù)電流：1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SSP1N60B的詳細(xì)信息，包括SSP1N60B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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