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SSP1N60B_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 7974
說明：: MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm

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SSP1N60B_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
上升時間：45 ns
功率耗散：34 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：35 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12 Ohms
漏極連續(xù)電流：1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SSP1N60B_Q的詳細(xì)信息，包括SSP1N60B_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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