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SSM6N55NU,LF

廠家：: Toshiba
封裝：: 6-μDFN（2x2）
數(shù)量：: 9781
說明：: MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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SSM6N55NU,LF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：2.5 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：UDFN-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：64 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是SSM6N55NU,LF的詳細信息，包括SSM6N55NU,LF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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