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SSM6N7002FUTE85LF

廠家：: Toshiba
封裝：: US-6
數(shù)量：: 8220
說明：: MOSFET SMOS

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SSM6N7002FUTE85LF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：69 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：72 ns
功率耗散：300 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：72 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：US-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3000 mOhms
漏極連續(xù)電流：0.2 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是SSM6N7002FUTE85LF的詳細信息，包括SSM6N7002FUTE85LF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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