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SQ4946AEY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SO-8
數(shù)量：
 5148  
說明：
 MOSFET 60V 7A 4W
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SQ4946AEY-T1-GE3-SO-8圖片

SQ4946AEY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SQ4946AEY-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：22.4 ns
上升時間：3.3 ns
功率耗散：4 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：11.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：15 S
下降時間：2.1 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
漏極連續(xù)電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ4946AEY-T1-GE3的詳細信息，包括SQ4946AEY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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