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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.3 歐姆 @ 500mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：320mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.4nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：24pF @ 30V
功率 - 最大：500mW
安裝類型：表面貼裝

以上是SQ7002K-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SQ7002K-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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