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SPI80N06S2-08

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO262-3-1
數(shù)量:
 4257  
說明:
 MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
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SPI80N06S2-08 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫歐 @ 58A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:80A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 150µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:96nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :3800pF @ 25V
功率 - 最大:215W
安裝類型:通孔

以上是SPI80N06S2-08的詳細(xì)信息,包括SPI80N06S2-08廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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