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SPI80N06S2L-11

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3-1
數(shù)量：: 4275
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

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SPI80N06S2L-11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫歐 @ 40A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 93µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：2650pF @ 25V
功率 - 最大：158W
安裝類型：通孔

以上是SPI80N06S2L-11的詳細(xì)信息，包括SPI80N06S2L-11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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