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SPD50N03S2L-06 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 6352  
說(shuō)明:
 MOSFET POWER MOSFET DISCRETE
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SPD50N03S2L-06 G-TO-252圖片

SPD50N03S2L-06 G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SP000443924 SPD50N03S2L06GBTMA1 SPD50N03S2L06GXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:19 ns
功率耗散:136 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:24 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0064 Ohms
漏極連續(xù)電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是SPD50N03S2L-06 G的詳細(xì)信息,包括SPD50N03S2L-06 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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