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SPD50N03S2L06T

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：
 3016  
說(shuō)明：
 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
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SPD50N03S2L06T PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.4 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 85µA
閘電荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2530pF @ 25V
功率 - 最大136W
安裝類型表面貼裝

以上是SPD50N03S2L06T的詳細(xì)信息，包括SPD50N03S2L06T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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