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SISA12DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK 1212-8
數(shù)量：: 3492
說明：: MOSFET 30V 25A 28W 4.3mohm @ 10V

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SISA12DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SISA12DN-GE3
功率耗散：28 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.3 mOhms
漏極連續(xù)電流：25 A
閘/源擊穿電壓：2.2 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SISA12DN-T1-GE3的詳細信息，包括SISA12DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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