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SISA18DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 3519
說明：: MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4

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SISA18DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：30 ns
商標名：TrenchFET Gen IV
上升時間：20 ns
功率耗散：19.8 W
柵極電荷 Qg：6.9 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：54 S
下降時間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0075 Ohms
漏極連續(xù)電流：38.3 A
閘/源擊穿電壓：2.4 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SISA18DN-T1-GE3的詳細信息，包括SISA18DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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