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SIHP30N60E-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 5166  
說明:
 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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SIHP30N60E-E3-TO-220AB圖片

SIHP30N60E-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:85 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :5.4 S
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):125 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:29 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP30N60E-E3的詳細(xì)信息,包括SIHP30N60E-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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