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SIHP5N50D-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 5202  
說明:
 MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V
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SIHP5N50D-GE3-TO-220-3圖片

SIHP5N50D-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIHP5N50D-E3
上升時間:11 ns
功率耗散:104 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:10 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :1.8 S
下降時間:11 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.5 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP5N50D-GE3的詳細(xì)信息,包括SIHP5N50D-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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