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SIHG22N60S-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 2232
說明：: MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-247

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SIHG22N60S-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：77 ns
上升時間：68 ns
功率耗散：250 W
柵極電荷 Qg：75 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：9.4 S
下降時間：59 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
安裝風格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.16 Ohms
漏極連續(xù)電流：22 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG22N60S-E3的詳細信息，包括SIHG22N60S-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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