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SIHG25N40D-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 5135
說明：: MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS

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SIHG25N40D-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時間：57 ns
功率耗散：278 W
柵極電荷 Qg：44 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7.4 S
下降時間：37 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-247 AC
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：170 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：25 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：400 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG25N40D-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHG25N40D-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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