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SIHG22N50D-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 4842
說(shuō)明：: MOSFET 500V 230mOhm@10V 22A N-Ch D-SRS

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SIHG22N50D-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：47 ns
上升時(shí)間：42 ns
功率耗散：312 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：49 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8 S
下降時(shí)間：40 ns
封裝形式：TO-247AC
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：230 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：22 A
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG22N50D-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHG22N50D-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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