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SIB437EDKT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? TSC75-6
數(shù)量：: 6057
說明：: MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V

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SIB437EDKT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIB437EDKT-GE3
上升時間：170 ns
功率耗散：2.4 W
柵極電荷 Qg：10.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：14 A
下降時間：630 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-75-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.028 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 7.5 A
閘/源擊穿電壓：5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIB437EDKT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIB437EDKT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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