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SIB911DK-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-75-6L 雙
數(shù)量：: 2079
說明：: MOSFET 20V 2.6A 3.1W 295mohm @ 4.5V

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SIB911DK-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIB911DK-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：45 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：3 S
下降時間：31 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：295 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIB911DK-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIB911DK-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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