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SIA975DJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數(shù)量：: 1773
說明：: MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

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SIA975DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIA975DJ-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：17 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6 Dual
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：41 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 4.5 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIA975DJ-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIA975DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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