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SIB410DK-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-75-6
數(shù)量：: 6039
說明：: MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET

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SIB410DK-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIB410DK-GE3
功率耗散：13 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：10 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：30 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-75-6L
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.034 Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIB410DK-T1-GE3的詳細信息，包括SIB410DK-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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