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SIA778DJ-T1-GE3

廠(chǎng)家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數(shù)量：: 1620
說(shuō)明：: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

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SIA778DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫歐 @ 5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：12V, 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.5A, 1.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 8V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：500pF @ 6V
功率 - 最大：6.5W, 5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝

以上是SIA778DJ-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIA778DJ-T1-GE3廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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