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SIA907EDJT-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數(shù)量：
 6231  
說明：
 MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
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SIA907EDJT-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA907EDJT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SIA907EDJT-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：7.8 W
柵極電荷 Qg：15 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：11 S
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6L
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：57 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA907EDJT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIA907EDJT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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