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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-Micro Foot?（1.5x1）
數(shù)量：: 4779
說明：: MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III

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SI8483DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：80 nS
上升時間：20 nS
功率耗散：13 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：43 nC
下降時間：20 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1.5 x 1
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：26 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8483DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8483DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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