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SI8487DB-T1-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-Microfoot
數(shù)量：: 4788
說明：: MOSFET -30V 31mOhm@10V 7.7A P-Ch G-III

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SI8487DB-T1-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI8487DB-E1
典型關(guān)閉延遲時間：290 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：2.7 W
柵極電荷 Qg：52 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時間：60 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1.6 x 1.6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：31 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：7.7 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8487DB-T1-E1的詳細(xì)信息，包括SI8487DB-T1-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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