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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8 雙
數(shù)量：: 6174
說明：: MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET

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SI7252DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：18 ns
商標(biāo)名：ThunderFET / Med Voltage
上升時間：12 ns
功率耗散：46 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：17.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：40 S
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：36.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7252DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7252DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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