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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI7302DN-T1-E3

SI7302DN-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 8046
說明：: MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8

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SI7302DN-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：320 毫歐 @ 2.3A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：220V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8.4A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：21nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：645pF @ 15V
功率 - 最大：52W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI7302DN-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI7302DN-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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