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SI5915BDC-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 1206-8 ChipFET?
數(shù)量:
 5301  
說明:
 MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8
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SI5915BDC-T1-GE3-1206-8 ChipFET?圖片

SI5915BDC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型:2 個 P 溝道(雙)
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫歐 @ 3.3A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:4A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 8V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :420pF @ 4V
功率 - 最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝

以上是SI5915BDC-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI5915BDC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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