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SI5915DC-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET?
數(shù)量：: 5319
說(shuō)明：: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

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SI5915DC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫歐 @ 3.4A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：3.4A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.1W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI5915DC-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI5915DC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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