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SI4565ADY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 7362  
說明:
 MOSFET 40V 6.6/4.5A 3.1W 39/54mohm @ 10V
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SI4565ADY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4565ADY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI4565ADY-GE3
典型關閉延遲時間:21 ns at N Channel, 17 ns at N Channel, 33 ns at P Channel, 44 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量:2500
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):39 mOhms, 54 mOhms
漏極連續(xù)電流:5.3 A, 4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4565ADY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4565ADY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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