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SI4599DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 2637
說明：: MOSFET 40/40V 5.3/11.8A 3.0/3.1W

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SI4599DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4599DY-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：16 ns, 30 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：17 ns, 33 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns, 13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0355 Ohms, 0.045 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.6 A, - 4.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4599DY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4599DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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