日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 8262
說明：: MOSFET 30V 2.5/1.8A

一、本商品被瀏覽0次.

SI3552DV-T1-E3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3552DV-E3
典型關閉延遲時間：13 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
商標名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：1.15 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.105 Ohms, 0.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.5 A, 1.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3552DV-T1-E3的詳細信息，包括SI3552DV-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：