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SI3585CDV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 4015
說明：: MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts

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SI3585CDV-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3585CDV-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：11 ns, 13 ns
上升時間：20 ns, 10 ns
功率耗散：1.4 W
柵極電荷 Qg：3.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S, 1 S
下降時間：8 ns, 7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.048 Ohms, 0.162 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.9 A, - 2.1 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3585CDV-T1-GE3的詳細信息，包括SI3585CDV-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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