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SI3499DV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
數(shù)量：: 189
說明：: MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V

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SI3499DV-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3499DV-E3
典型關(guān)閉延遲時間：210 ns
上升時間：65 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：65 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.023 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3499DV-T1-E3的詳細信息，包括SI3499DV-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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