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SI2331DS-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-23-3(TO-236)
數(shù)量:
 7902  
說明:
 MOSFET 12V 3.6A 0.71W
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SI2331DS-T1-E3-SOT-23-3(TO-236)圖片

SI2331DS-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI2331DS-E3
典型關閉延遲時間:65 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:35 ns
功率耗散:710 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:35 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-236-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.048 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2331DS-T1-E3的詳細信息,包括SI2331DS-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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