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SI2334DS-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數(shù)量：: 6921
說明：: MOSFET N-CH 30V SOT-23

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SI2334DS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3圖片

SI2334DS-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：44 毫歐 @ 4.2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.9A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：634pF @ 15V
功率 - 最大：1.7W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI2334DS-T1-GE3的詳細信息，包括SI2334DS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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