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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SH8J66TB1

SH8J66TB1

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 7126
說明：: MOSFET Pch+Pch -30V -9A MOSFET

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SH8J66TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：2 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：11 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：19 mOhms
漏極連續(xù)電流：9 A
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是SH8J66TB1的詳細(xì)信息，包括SH8J66TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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