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中文參數(shù)如下：
FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：51 毫歐 @ 5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：5A, 4.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：3.9nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：230pF @ 10V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝
以上是SH8M3TB1的詳細(xì)信息，包括SH8M3TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
