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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > RDN120N25

RDN120N25

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-220FN
數(shù)量：: 4446
說明：: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

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RDN120N25 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C210 毫歐 @ 6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)250V
Id 時的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1224pF @ 10V
功率 - 最大40W
安裝類型通孔

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